三星宣布推出 1TB 智能手机存储芯片，助力 Galaxy S10+
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三星电子宣布推出业界首款 1TB eUFS 2.1（嵌入式通用闪存）。该芯片已投入量产，因此我们可以期待下一代高端智能手机采用它，而 Galaxy S10+ 很可能是第一款采用该芯片的智能手机。 新款 1TB eUFS 芯片与之前的 512GB 芯片（11.5 x 13 毫米）一样大，同时通过结合 16 个堆叠 V-NAND 闪存层和新开发的控制器，存储容量增加了一倍。但三星也能够大幅提高速度。 新芯片的连续读取速度高达 1000 MB/s，连续写入速度为 260 MB/s。据记录，标准的 2.5 英寸 SATA SSD 的读取速度上限约为 540 MB/s，因此这非常令人印象深刻。与上一代 512GB 存储相比，1TB 芯片的随机读取速度提高了 38%。 下面是一张比较不同内部存储器解决方案及其性能的小表格：
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