未经证实的报道称,Exynos 1000 将比骁龙 875 更快,但我们不能仅仅假设这将是下一代 Galaxy S 旗舰使用的芯片组。这些早期报告是基于 Geekbench 结果得出的,这些结果在我们确认其真实性之前就从数据库中提取出来了。
现在,Geekbench 上出现了应该是三星 Galaxy S21+ 的测试结果,分数明显更低。请注意,SM-G996B(可能是 S21+ 的欧元版本)的分数页面将芯片组列为“Exynos 2100”,这似乎是一个完全不同的芯片。 以下是它与 Exynos 1000 和 Snapdragon 875 的传闻得分相比的结果。 GeekBench 5.1(多核)越高越好
GeekBench 5.1(单核)越高越好
该手机应该配备 8 GB 的 RAM,因为 6.77 GB 的数字可能忽略了为 GPU 保留的内存。这与当前具有 4G 连接的 Galaxy S20+ 的 RAM 容量相匹配(5G 型号有 12 GB)。 2.21 GHz 时钟速度应该适用于小型 CPU 集群——出于某种原因,Geekbench 总是报告小型集群。相比之下,Exynos 990 中的四个 A55 内核运行在 2.0 GHz 频率下,因此我们可以预期所有内核都会有小幅超频。这些内核可能是什么尚不清楚(据说 Exynos 1000 采用新的 Cortex-X1 内核)。 此外,Galaxy S21+ 机型(如果确实是这款机型)运行的是 Android 11,这并不奇怪。顺便说一句,这款机型的电池今天早些时候泄露——容量为 4,800 mAh,比 S20+ 增加了 300 mAh。 来源 | Via(荷兰语) |
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