高通即将推出的骁龙 835 将配备 Quick Charge 4

高通宣布将与三星合作生产即将推出的骁龙 835 移动处理器。该处理器将基于三星最新的 10nm FinFET 工艺，是同类产品中尺寸最小的一款。

据高通称，新的 10nm FinFET 工艺的面积效率提高了 30%，性能提高了 27%，功耗降低了 40%。缩小的体积将使硬件制造商能够制造更小的设备或添加其他组件。

新处理器还将率先采用新的 Quick Charge 4。高通声称，得益于其 Dual Charge 并行充电技术，Quick Charge 4 的充电速度比 Quick Charge 3 快 20%，效率高 30%。它还支持 USB-C 和 USB Power Delivery 标准，我们认为这意味着您将能够使用 Quick Charge 4 充电器为 USB-PD 设备（例如去年的 Nexus 和新款 Pixel 手机）以及新款 USB-C MacBook 快速充电。

Quick Charge 4 包括第三代 INOV（智能最佳电压协商），现在可提供实时热管理。高通还推出了两款新型电源管理 IC，SMB1380 和 SMB1381，它们具有低阻抗、高达 95% 的峰值效率以及电池差分感应等先进的快速充电功能。

Snapdragon 835 预计将于 2017 年上半年上市。

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