三星是半导体领域最大的参与者之一,因此其刚刚公布的路线图对许多行业都非常重要。该公司正努力为智能设备提供 4nm 工艺,并为物联网设备提供新型 18nm 工艺。 在 2017 年三星代工论坛上,三星表示 8nm LPP(低功耗增强型)工艺将在过渡到 EUV(极紫外)工艺之前提供最具竞争力的解决方案。7nm 工艺将是首个采用 EUV 光刻解决方案的工艺——该解决方案已与荷兰公司 ASML 合作开发。 部署 7nm 工艺对半导体制造商来说意义重大,因为它将打破摩尔定律的障碍。这项创新将为 6LPP、5LPP 和 4LPP 铺平道路。 三星电子半导体业务总裁金基南 (Kinam Kim)4LPP 将成为下一代器件架构 MBCFET(多桥通道场效应晶体管)的首个实现。它将克服当前 FinFET 结构的物理扩展和性能限制。 三星还宣布将开发用于物联网设备的 18nm FD-SOI 工艺技术。该技术将比 28nm FDS 工艺有所改进,具有更好的能效、面积和性能。 来源 |
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