传言：骁龙 895 将采用三星 4nm 节点制造，骁龙 895+ 将采用台积电 4nm 节点制造

骁龙 865 采用台积电的 N7P 工艺（第二代 7 纳米）制造，但高通在订购骁龙 888 时转而使用三星代工厂。骁龙 888+ 基于相同的三星 5 纳米节点构建，只是它的分档更高，其中 Cortex-X1 主频为 2.995 GHz（高于 2.84 GHz），NPU 性能提升至 32 TOPS（高于 26 TOPS）。

Ice Universe表示，明年的情况将会有所不同——骁龙 895 将由三星在其 4 nm 节点生产，而骁龙 895+ 升级将在台积电的 4 nm 代工厂生产。

两者都是对代工厂各自 5 纳米节点的改进，但新工艺的性能优势和潜在的功耗节省尚未公开公布。

骁龙 895 和 895+ 很有可能会遵循与今年两款 888 版本类似的时间表——普通版将于 12 月/1 月推出，Plus 版则在半年后推出。至少到那时，半导体短缺问题（希望）已经得到解决。

去年，高通的代工厂选择可能受到苹果购买台积电大量 5 纳米芯片供应的限制，这些芯片用于其 Apple A14 和 M1 芯片组。不过，据报道，明年该公司将分批订购，为 iPhone 订购 4 纳米 A15 芯片，为 iPad 订购 3 纳米芯片。无论如何，台积电代工厂有足够的产能，甚至联发科也订购了 4 纳米芯片组（事实上，这可能是首批上市的 4 纳米芯片，但价格会很昂贵）。

三星预计将使用自己的 4 纳米代工厂制造 Exynos 2200，这应该是第一款采用 AMD RDNA 2 GPU 的芯片。高通为其 X65 和 X62 5G 调制解调器选择了三星的 4 纳米代工厂，因此骁龙 895（将配备集成的 X65）使用相同工艺也是理所当然的。

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