三星开始量产第五代 V-NAND 闪存

多年来，三星一直是领先的内存制造商，今天该公司宣布开始生产其下一代 V-NAND 内存芯片。这是该技术的第五次迭代，其主要特点是采用了“Toggle DDR 4.0”NAND 接口。

后者的存储和 RAM 之间的传输速度比前代产品快 40%，峰值达到 1.4Gbps。但除了性能更佳之外，新内存的能效也更高 - 电压从 1.8 伏降至 1.2 伏。

第五代 V-NAND 芯片的构造与之前的芯片类似，但不是 64 层，而是 90 层 3D 电荷捕获闪存 (CTF) 单元。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微孔。这些孔用作通道，宽度只有几百纳米，包含超过 850 亿个 CTF 单元，每个单元最多可存储三位数据。

这显著提高了写入速度 - 比前代产品快了约 30%。读取信号的响应时间也降至 50μs。新的高性能 256GB 芯片可能会出现在包括高端智能手机在内的多款即将推出的三星设备中。

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