华为Mate 40 RS拆解揭示自主研发的内存芯片

华为Mate 40 RS拆解揭示自主研发的内存芯片

上周,我们看到中国科技博客Aio Technology对华为 Mate 40 Pro 进行了拆解,现在我们对更加华丽的 Mate 40 RS 进行了拆解,发现了其下方的专有海思存储芯片。

拆解过程按部就班地开始,先加热设备背面,然后使用吸盘将其撬开。除了独特的八边形后部设计外,Mate 40 RS 的内部设计与 Mate 40 Pro 几乎完全相同。

我们有五个摄像头模块,包括红外温度传感器、NFC 和无线充电线圈、4,400 mAh 电池和充电模块。断开几根连接线即可卸下主板和摄像头模块。

有趣的是,我们可以清楚地看到内存芯片上印有海思品牌,这证明华为正在自主开发内存芯片。关于这款特定内存存储的信息并不多。

据中国科技博主报道,Mate 40 Pro+和Mate 40 RS是首批采用华为自研SFS 1.0闪存的设备,经测试其读写速度几乎是UFS 3.1存储的两倍。

按照给出的示例,华为的 SFS 1.0 存储的顺序写入速度为 1,280MB/s,随机写入速度为 548MB/s,明显快于 UFS 3.1 存储,后者的顺序写入速度约为 700MB/s,随机写入速度约为 200-300MB/s。

不过,华为尚未就 SFS 标准发表官方声明,因此请谨慎对待所有这些信息。

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