三星即将开始生产第二代 10nm 芯片

英特尔使“滴答”方法闻名，尽管最近情况变得更加复杂，但芯片发布的基本节奏仍然存在。三星宣布其第二代 10nm 工艺已准备好投入生产，该公司正在提高其制造能力。

Snapdragon 835 和 Exynos 8895 采用 10nm LPE（Low Power Early）工艺制造。第二代工艺被称为 10nm LPP（Low Power Plus），其特点是增强了 3D FinFET 结构。

结果是性能提升了 10%，功耗降低了 15%。我们可能会看到 10nm LPP 用于骁龙和 Exynos 顶级芯片的更新版本。三星正在其最新生产线（韩国华城的 S3）安装制造设备，这些设备将在今年最后一个季度开始批量生产芯片。

从 LPE 转向 LPP 的一个例子是 Galaxy S6 和 S7 - Exynos 7420 (S6) 采用 14nm LPE 制造，而 Exynos 8890 (S7) 升级到 14nm LPP。然而，新工艺只占了部分改进。例如，骁龙 820 和 821 都采用相同的 14nm LPP 工艺制造，但新工艺的时钟速度更高。

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