Snapdragon 660 基准测试:比 S653 略有提升

Snapdragon 660 基准测试:比 S653 略有提升

高通的中端系列凭借稳定的性能和出色的电池续航能力赢得了越来越多的粉丝。这两点在新一代产品中应该会有所提升 - 骁龙 660 采用 14nm 工艺制造,效率更高,并使用八个 Kryo 260 核心提供动力。

因此,它是 625 和之前推出的 653 芯片组的组合,兼具两者的优点。高通承诺,骁龙 653 的性能将提升 20%。

早期的 Geekbench 4.1 得分显示了我们的预期 - 一款未知设备(代号“Heart”)经过测试,在多核测试中领先 Oppo F3 Plus (S653) 16%。相当不错!同时,单核性能也提升了 10%。

GeekBench 4.1(多核)

越高越好

  • Galaxy S8+ (骁龙 835)
    6301
  • 心脏 (骁龙 660)
    5455
  • Oppo F3 Plus(骁龙 653)
    4695

GeekBench 4.1(单核)

越高越好

  • Galaxy S8+ (骁龙 835)
    1832
  • 心脏 (骁龙 660)
    1588
  • Oppo F3 Plus(骁龙 653)
    1438

Snapdragon 653 已经是一款非常节能的芯片组,但其老化的 28nm 工艺阻碍了它的发展。Snapdragon 660 在速度上有了相当大的提升,但真正的升级应该是能效。它能打败或至少匹敌 625 吗?

我们必须等待骁龙 660 设备上市。我们还没有看到骁龙 630 的表现,但它使用低功耗 Cortex-A53 内核,因此我们预计性能不会有任何重大改进。这意味着 660 可能是中档芯片

感谢 Arvind 发来此信

来源 | Via

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