就技术移动硬件泄露而言,这个消息已经相当明确,所以我们先从“tl;dr”开始。根据目前的信息,下一代高通移动旗舰芯片组,即骁龙 8150,将于 12 月 4 日亮相。它已经在早期基准测试中展示了相当多的实力,包括 AnTuTu、Geekbench 和 ai-benchmark,以及其流行的工作负载。除了性能改进外,它还承诺整体效率将提高 20%(大概与骁龙 845 相比),并且很可能包括 5G 连接。
这几乎概括了大多数用户需要了解的有关该芯片的所有信息。然而,对于更偏向技术的人来说,来自 Ice universe 的最新泄漏确实再次证实了之前传闻的三集群 CPU 设计。
根据信息,Snapdragon 8150 将配备四个低功耗 Kryo Silver 内核,每个内核的二级缓存为 128KB,在一个集群中最高运行速度约为 1.8GHz;然后是三个 Kryo Gold 内核,每个内核的二级缓存为 256KB,在另一个集群中最高运行速度为 2.419GHz。最后,但绝对不是最不重要的,是一个强大的单 Kryo Gold 内核,二级缓存是原来的两倍,为 512KB,最高运行速度为 2.842Ghz。 现在,遗憾的是,消息来源没有提及有关这些内核的任何其他信息,而在高通目前混乱的命名惯例中,金和银可能指的是一些定制内核。然而,通过比较当前的骁龙 845 芯片组并进行一些假设,这些内核很可能是 Kryo 835 内核,因为金和银分别有定制的 ARM Cortex-A75 单元和 Cortex-A55。 作为参考,查看 L2 缓存值,这些数字也与 Snapdragon 845 芯片相匹配。Gold 为 256KB,Silver 为 128KB。然而,那个单独的 Gold 核心才是真正有趣的。它的缓存显然被提升了,但除此之外,没有明确的迹象表明它是否也是 Kryo 835 Gold,或者可能是基于 ARM Cortex-A76 的一些新设计。我们也没有理由相信 Snapdragon 8150 不会使用 DinamicIQ 架构,因此所有的灵活性显然都在那里。 目前尚无关于骁龙 8150 制造节点的消息。LTE 调制解调器及其功能也是如此。另一方面,我们已经知道 GPU 将升级为 Adreno 640。我们实际上没有后者的任何性能数据,但只能假设其增加的型号是有原因的。 来源 |
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